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MOS管的结构和工作原理
0750long | 2009-04-05 19:06:34    阅读:5101   发布文章

MOS管的结构和工作原理

 

在P型衬底上,制作两个高掺杂浓度的N型区,形成源极(Source)和漏极(Drian),另外一个是栅极(Gate).当Vi=Vgs<Vgs(th)时,MOS工作在截止区。只要负载电阻远远小于MOS管的截止电阻ROFF,在输出端就为高电平VOH,且VOH约等于VDD。这时,MOS管的D-S之间相当一个断开的开关。Rd当Vi>Vgs并且在Vds较高的情况下,MOS管工作在恒流区,随着Vi的升高Id增大,而Vo随这下降。

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常用逻辑电平:TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL(Emitter Coupled Logic)、PECL(Pseudo/Positive Emitter Coupled Logic)、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)、GTL(Gunning Transceiver Logic)、BTL(Backplane Transceiver Logic)、ETL(enhanced transceiver logic)、GTLP(Gunning Transceiver Logic Plus);RS232、RS422、RS485(12V,5V,3.3V);TTL和CMOS不可以直接互连,由于TTL是在0.3-3.6V之间,而CMOS则是有在12V的有在5V的。CMOS输出接到TTL是可以直接互连。TTL接到CMOS需要在输出端口加一上拉电阻接到5V或者12V。
cmos的高低电平分别为:Vih>=0.7VDD,Vil<=0.3VDD;Voh>=0.9VDD,Vol<=0.1VDD.
ttl的为
:Vih>=2.0v,Vil<=0.8v;Voh>=2.4v,Vol<=0.4v.
用cmos可直接驱动ttl;加上拉电阻后,ttl可驱动cmos.
1、当TTL电路驱动COMS电路时,如果TTL电路输出的高电平低于COMS电路的最低高电平(一般为3.5V),这时就需要在TTL的输出端接上拉电阻,以提高输出高电平的值。
2、OC门电路必须加上拉电阻,以提高输出的搞电平值。
3、为加大输出引脚的驱动能力,有的单片机管脚上也常使用上拉电阻。
4、在COMS芯片上,为了防止静电造成损坏,不用的管脚不能悬空,一般接上拉电阻产生降低输入阻抗,提供泄荷通路。
5、芯片的管脚加上拉电阻来提高输出电平,从而提高芯片输入信号的噪声容限增强抗干扰能力。
6、提高总线的抗电磁干扰能力。管脚悬空就比较容易接受外界的电磁干扰。
7、长线传输中电阻不匹配容易引起反射波干扰,加上下拉电阻是电阻匹配,有效的抑制反射波干扰。
上拉电阻阻值的选择原则包括:
1、从节约功耗及芯片的灌电流能力考虑应当足够大;电阻大,电流小。
2、从确保足够的驱动电流考虑应当足够小;电阻小,电流大。
3、对于高速电路,过大的上拉电阻可能边沿变平缓。综合考虑
以上三点,通常在1k到10k之间选取。对下拉电阻也有类似道理
//OC门电路必须加上拉电阻,以提高输出的搞电平值。
OC门电路要输出“1”时才需要加上拉电阻不加根本就没有高电平
在有时我们用OC门作驱动(例如控制一个LED)灌电流工作时就可以不加上拉电阻
OC门可以实现“线与”运算
OC门就是  集电极开路输出
总之加上拉电阻能够提高驱动能力。

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