NI_LABVIEW第二块抛的砖头太大了，偶只能慢慢去整理资料一点点的梳理出来，因为牵涉的东西实在很多。
  细节之二就是EX-375在平衡最窄脉冲的问题时是做过考虑的，往往在开关电源设计都喜欢用变压器直接驱动MOSFET，驱动脉冲随驱动脉宽的变窄往往无法打开MOSFET，这种类似“停振”状态对于开关电源来说也将引起噪音的加大，必须予以克服，这也是我们经常看到电源轻载噪音加大原因之一。而在对国内的开关电源了解当中很少考虑此种问题，这或许也是我们电源指标不过关的因素之一。
  关于MOS管的特性，我曾经做过总结，文章如下：功率Mosfet参数介绍
  关于MOS管的驱动要求可看：MOS管驱动基础和时间功耗计算
  隔离室和非隔离式的驱动概要：MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点
  MOS管寄生参数的影响和其驱动电路要点
  这个课题实在涵盖了大功率MOS管，小功率MOS管，电源和驱动设计，脉冲变压器，功耗设计等等诸多纷繁复杂的侧面，偶实在觉得不能一蹴而就，只能找一些资料，通过抓住MOS管的驱动设计试图去找到一些答案，实际上控制频率，功率，各种不同的电路拓扑结构都对这些选择有着至关重要的影响，偶承认一时半会偶实在搞不定，算是集思广益吧。
  然后是可参考的文档：
  我觉得中文的写得比较好的文章如下，可大概参考一下：
  详细讲解MOSFET管驱动电路：

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  几种MOSFET驱动电路的研究：

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  英文的文章较多：
  1.最经典的文章：
   TI的Design And Application Guide For High Speed MOSFET Gate Drive Circuits【Google之好多地方可下】
  2.这篇文章解释了为什么偏爱隔离式的驱动
   Transformer-Isolated Gate Driver Provides very large duty cycle ratios
  

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  3.隔离式驱动电路的具体的分析，挺不错的
  Gate Drive Design Tips
 

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  关于电路设计的和新的结构的
  AN ISOLATED MOSFET GATE DRIVER
 

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  A NEW ISOLATED GATE DRIVE FOR POWER MOSFETS AND IGBTS
 

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  HV Floating MOS-Gate Driver ICs
 

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  Hybrid MOSFETDriver for Ultra-Fast Switching
 

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  High side MOSFET gate drive the power of well implemented pulse transformers
 

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  最后是脉冲变压器设计和选择，这也是隔离式设计的时候一个较为头痛的事情。
  A Guide to Designing Gate-Drive Transformers
 

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  另外有几个链接地址：
  http://users.tkk.fi/jwagner/tesla/SSTC/general-sstc-notes-gatedrv.htm
  IEEE的几篇文章（学校的童鞋们下到了希望可以和我share一下）：
  Power Semiconductors for High Frequency AC/DC Converters supplied on 380/440Vac Mains
  Optimized Power Stages for High Frequency 380/440VAC Medium Power Switch Mode Supplies

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